casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCH072N60F
Número de pieza del fabricante | FCH072N60F |
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Número de parte futuro | FT-FCH072N60F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRFET®, SuperFET® II |
FCH072N60F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 52A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8660pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 481W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH072N60F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FCH072N60F-FT |
GP2M020A060N
Global Power Technologies Group
GP2M023A050N
Global Power Technologies Group
GP1M003A050FG
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GP1M003A080FH
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GP1M004A090FH
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GP1M005A050FH
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GP1M006A065F
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GP1M006A065FH
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GP1M006A070F
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A3P060-1TQ144I
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