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ON Semiconductor FCH041N65EFL4

Name: FCH041N65EFL4
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCH041N65EFL4
Price: 10.24 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (656 reviews)

Número de pieza de MFG: FCH041N65EFL4

Cantidad disponible: 88520 Piezas

Precio de referencia: USD 10.24

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: FRFET®, SuperFET® II MOSFET N-CH 650V 76A

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FCH041N65EFL4.pdf

FCH041N65EFL4 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FCH041N65EFL4
Número de parte futuro	FT-FCH041N65EFL4
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	FRFET®, SuperFET® II
FCH041N65EFL4 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	76A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 7.6mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	298nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	12560pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	595W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4L
Paquete / Caja	TO-247-4
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCH041N65EFL4 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FCH041N65EFL4-FT

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