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ON Semiconductor FCH023N65S3L4

Name: FCH023N65S3L4
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCH023N65S3L4
Price: 12.912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (491 reviews)

Número de pieza de MFG: FCH023N65S3L4

Cantidad disponible: 89610 Piezas

Precio de referencia: USD 12.912

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: SuperFET® III MOSFET N-CH 650V 75A TO247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FCH023N65S3L4.pdf

FCH023N65S3L4 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FCH023N65S3L4
Número de parte futuro	FT-FCH023N65S3L4
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SuperFET® III
FCH023N65S3L4 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	75A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 7.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	222nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7160pF @ 400V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	595W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4L
Paquete / Caja	TO-247-4
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCH023N65S3L4 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FCH023N65S3L4-FT

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