casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCB110N65F
Número de pieza del fabricante | FCB110N65F |
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Número de parte futuro | FT-FCB110N65F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRFET®, SuperFET® II |
FCB110N65F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 3.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4895pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 357W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCB110N65F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FCB110N65F-FT |
FDA20N50-F109
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