Número de pieza del fabricante | F30 |
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Número de parte futuro | FT-F30 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F30 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 3000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 350mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 5V @ 100mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 250ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250nA @ 1500V |
Capacitancia a Vr, F | 2.5pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F30 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | F30-FT |
SDT10A100P5-7D
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-13
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-13D
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-7D
Diodes Incorporated
SDT15150P5-13D
Diodes Incorporated
SDT15150P5-7
Diodes Incorporated
SDT15150P5-7D
Diodes Incorporated
SDT20B100D1-13
Diodes Incorporated
SDT5100D1-13
Diodes Incorporated
SDT5A100P5-13
Diodes Incorporated
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel