casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / F1857D1000
Número de pieza del fabricante | F1857D1000 |
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Número de parte futuro | FT-F1857D1000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F1857D1000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 55A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.4V @ 165A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1857D1000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | F1857D1000-FT |
DGP30L-5705E3/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
DHF30IM600PN
IXYS
DLLFSD02UDJ-7
Diodes Incorporated
DMA30E1800HA
IXYS
DNA30E2200FE
IXYS
DS1-12D
IXYS
DS9-08F
IXYS
DS9-12F
IXYS
DSA1I100SA
IXYS
DSA2I100SB
IXYS
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel