casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ESH2D-E3/5BT
Número de pieza del fabricante | ESH2D-E3/5BT |
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Número de parte futuro | FT-ESH2D-E3/5BT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH2D-E3/5BT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 930mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH2D-E3/5BT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ESH2D-E3/5BT-FT |
UH1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1BHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1C-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1C-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1C-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1C-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1CHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel