casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ESH2CHE3_A/H
Número de pieza del fabricante | ESH2CHE3_A/H |
---|---|
Número de parte futuro | FT-ESH2CHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ESH2CHE3_A/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 150V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 930mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 150V |
Capacitancia a Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH2CHE3_A/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ESH2CHE3_A/H-FT |
SS2H10-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43LHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43LHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel