casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ESH2BA R3G
Número de pieza del fabricante | ESH2BA R3G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-ESH2BA R3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH2BA R3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH2BA R3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ESH2BA R3G-FT |
S1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JHR3G
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S1K R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KHM2G
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S1M M2G
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S1MHM2G
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S1MHR3G
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SK210AHR3G
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LFE3-17EA-6FTN256C
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A3PN250-Z2VQG100
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EP4SGX290KF40I4N
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10AX090S4F45E3SG
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10AX115H3F34I2LG
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EP3CLS200F780C8
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