casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ESH1D R3G
Número de pieza del fabricante | ESH1D R3G |
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Número de parte futuro | FT-ESH1D R3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH1D R3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 15ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1D R3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ESH1D R3G-FT |
ES1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2AAHR3G
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SK210A R3G
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SK26A R3G
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SS13 R3G
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Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor Corporation
HS1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
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A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel