casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ESH1DM RSG
Número de pieza del fabricante | ESH1DM RSG |
---|---|
Número de parte futuro | FT-ESH1DM RSG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH1DM RSG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 3pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 2-SMD, Flat Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | Micro SMA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1DM RSG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ESH1DM RSG-FT |
SK315AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK320A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK320AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32AHR3G
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Taiwan Semiconductor Corporation
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SK33AHR3G
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Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
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XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
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10M40DAF256I6G
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XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
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LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
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EP4CE30F29I7
Intel