casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / ESDS312DBVR
Número de pieza del fabricante | ESDS312DBVR |
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Número de parte futuro | FT-ESDS312DBVR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESDS312DBVR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 2 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 3.6V (Max) |
Voltaje - Avería (Min) | 4.5V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 6.5V (Typ) |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 25A (8/20µs) |
Potencia - Pulso pico | 170W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | 4.5pF @ 1MHz |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-74A, SOT-753 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-5 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESDS312DBVR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ESDS312DBVR-FT |
DF5A3.6CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6CFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6FUTE85LF
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DF5A6.2FU(TE85L,F)
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DF5A6.2LFUTE85LF
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DF5A6.8CFU(TE85L,F
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DF5A6.8FUTE85LF
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DF5A6.8LFUTE85LF
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DF5G7M2N,LF
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DF3D18FU,LF
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XC6SLX45-N3FGG676I
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XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
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10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
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EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel