casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ES2D-E3/52T
Número de pieza del fabricante | ES2D-E3/52T |
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Número de parte futuro | FT-ES2D-E3/52T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2D-E3/52T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2D-E3/52T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ES2D-E3/52T-FT |
SS16HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS19-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS19-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS19-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS19-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel