casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ES2BHE3_A/H
Número de pieza del fabricante | ES2BHE3_A/H |
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Número de parte futuro | FT-ES2BHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES2BHE3_A/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 20ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2BHE3_A/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ES2BHE3_A/H-FT |
US1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1GHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1GHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1JHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1JHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1KHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1KHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel