Número de pieza del fabricante | ES1J |
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Número de parte futuro | FT-ES1J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 8pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMA (DO-214AC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ES1J-FT |
GC08MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC10MPS12-220
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EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
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EP1S10F780C6
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EP4SGX110HF35I3
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