casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ES1GLHR3G
Número de pieza del fabricante | ES1GLHR3G |
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Número de parte futuro | FT-ES1GLHR3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1GLHR3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sub SMA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1GLHR3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ES1GLHR3G-FT |
SS26L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel