Número de pieza del fabricante | ES1F |
---|---|
Número de parte futuro | FT-ES1F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 300V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacitancia a Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMA (DO-214AC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ES1F-FT |
GC15MPS12-247
GeneSiC Semiconductor
GC02MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC05MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC08MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC10MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC15MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC20MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
FFH75H60S
ON Semiconductor
FFSH2065A
ON Semiconductor
RHRG3060
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel