casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ES1ALHM2G
Número de pieza del fabricante | ES1ALHM2G |
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Número de parte futuro | FT-ES1ALHM2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1ALHM2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sub SMA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1ALHM2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ES1ALHM2G-FT |
RSFDL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFGL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFGL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFGLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFGLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel