casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / ERD-S2TJ8R2V
Número de pieza del fabricante | ERD-S2TJ8R2V |
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Número de parte futuro | FT-ERD-S2TJ8R2V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ERDS2 |
ERD-S2TJ8R2V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Resistencia | 8.2 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 0.25W, 1/4W |
Composición | Carbon Film |
Caracteristicas | - |
Coeficiente de temperatura | -150/ -350ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.067" Dia x 0.126" L (1.70mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERD-S2TJ8R2V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ERD-S2TJ8R2V-FT |
ERG-2SJ103
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ERG-2SJ102V
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ERG-2SJ111E
Panasonic Electronic Components
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A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60ETC144-3N
Intel
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
10M40DAF484I6G
Intel
10M25DAF256C8G
Intel
5SGXEA3K2F40I3L
Intel
5SGXEA4H1F35C2L
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3SGE2
Intel