casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ER3GB-TP
Número de pieza del fabricante | ER3GB-TP |
---|---|
Número de parte futuro | FT-ER3GB-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ER3GB-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -50°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER3GB-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ER3GB-TP-FT |
UFS380J/TR13
Microsemi Corporation
UFS380JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS510J/TR13
Microsemi Corporation
UFS510JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS515J/TR13
Microsemi Corporation
UFS515JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS520J/TR13
Microsemi Corporation
UFS520JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS530J/TR13
Microsemi Corporation
UFS530JE3/TR13
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel