casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ER3DB-TP
Número de pieza del fabricante | ER3DB-TP |
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Número de parte futuro | FT-ER3DB-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ER3DB-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER3DB-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ER3DB-TP-FT |
LSM840JE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM845J/TR13
Microsemi Corporation
LSM845JE3/TR13
Microsemi Corporation
5821SMJ/TR13
Microsemi Corporation
5821SMJE3/TR13
Microsemi Corporation
5822SMJ/TR13
Microsemi Corporation
5822SMJE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS305J/TR13
Microsemi Corporation
UFS305JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS310J/TR13
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel