Número de pieza del fabricante | ER1M-TP |
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Número de parte futuro | FT-ER1M-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ER1M-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 100ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA, HSMB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -50°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1M-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ER1M-TP-FT |
UFS370J/TR13
Microsemi Corporation
UFS370JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS380J/TR13
Microsemi Corporation
UFS380JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS510J/TR13
Microsemi Corporation
UFS510JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS515J/TR13
Microsemi Corporation
UFS515JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS520J/TR13
Microsemi Corporation
UFS520JE3/TR13
Microsemi Corporation
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel