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EPC EPC2015

Número de pieza de MFG
EPC2015
Cantidad disponible
11430 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
EPC
Breve descripción
eGaN® GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-EPC2015
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie eGaN®
EPC2015 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 33A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 9mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11.6nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1200pF @ 20V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor Die Outline (11-Solder Bar)
Paquete / Caja Die
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2015 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto EPC2015-FT

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