casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / EP1WS47RJ
Número de pieza del fabricante | EP1WS47RJ |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EP1WS47RJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EP, Neohm |
EP1WS47RJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 47 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 1W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±300ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.138" Dia x 0.394" L (3.50mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EP1WS47RJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EP1WS47RJ-FT |
RR02J56RTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J56RTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J56RTB
TE Connectivity Passive Product
CCR256RKB
TE Connectivity Passive Product
ROX5SJ51K
TE Connectivity Passive Product
ROX3SJ51K
TE Connectivity Passive Product
ROX5SJ510K
TE Connectivity Passive Product
RR02J51KTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J51KTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J51KTB
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel