casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / EMZ2T2R
Número de pieza del fabricante | EMZ2T2R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EMZ2T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMZ2T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potencia - max | 150mW |
Frecuencia - Transición | 180MHz, 140MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMZ2T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMZ2T2R-FT |
HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C03FU-A(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A56JU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2003APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2004APG,C,N
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LFE2-6E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-1FGG676C
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XC6VCX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF256C8G
Intel
5SGXEABN3F45I4N
Intel
LCMXO2-4000HE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation