casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / EMX26T2R
Número de pieza del fabricante | EMX26T2R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EMX26T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMX26T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 300nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 820 @ 50mA, 5V |
Potencia - max | 150mW |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMX26T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMX26T2R-FT |
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S250E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
XC7A100T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19A7N
Intel
EP2AGX95EF35C4N
Intel