casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMF8T2R
Número de pieza del fabricante | EMF8T2R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EMF8T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMF8T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V, 12V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz, 320MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMF8T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMF8T2R-FT |
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
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RN2910(T5L,F,T)
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RN2911(T5L,F,T)
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RN4901(T5L,F,T)
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RN4901,LF
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RN4902,LF
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RN4903(T5L,F,T)
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RN4904(T5L,F,T)
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XC6SLX16-2FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
5SGSED6K3F40C2L
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
A42MX09-3PL84
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel