casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMF5XV6T5G
Número de pieza del fabricante | EMF5XV6T5G |
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Número de parte futuro | FT-EMF5XV6T5G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMF5XV6T5G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V, 12V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 500mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-563 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMF5XV6T5G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMF5XV6T5G-FT |
XN0121600L
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XN0121E00L
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XN0121F00L
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Lattice Semiconductor Corporation
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