casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMF17T2R
Número de pieza del fabricante | EMF17T2R |
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Número de parte futuro | FT-EMF17T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMF17T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA, 150mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz, 140MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMF17T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMF17T2R-FT |
RN2904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906(T5L,F,T)
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RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911(T5L,F,T)
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RN4901(T5L,F,T)
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XC4010E-1BG225C
Xilinx Inc.
A3P030-1VQG100I
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M1AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
10CL120ZF484I8G
Intel
10M16DAF484C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
XC7VX690T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation