casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMD9FHAT2R
Número de pieza del fabricante | EMD9FHAT2R |
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Número de parte futuro | FT-EMD9FHAT2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
EMD9FHAT2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | - |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | - |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD9FHAT2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMD9FHAT2R-FT |
RN1501(TE85L,F)
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RN1506(TE85L,F)
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RN4982,LF(CT
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RN4991(T5L,F,T)
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XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
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5CGXFC4C7U19C8N
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