casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMB9T2R
Número de pieza del fabricante | EMB9T2R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EMB9T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMB9T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMB9T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMB9T2R-FT |
RN2902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2903,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150-N3FG900I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256T
Microsemi Corporation
A54SX08A-PQ208A
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
M2GL010T-1VFG400
Microsemi Corporation
EP2C35F672I8N
Intel
EP2C70F672C6
Intel
EPF10K200SBC600-1X
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XA6SLX25-3CSG324Q
Xilinx Inc.