casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMB6T2R
Número de pieza del fabricante | EMB6T2R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EMB6T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMB6T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMB6T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMB6T2R-FT |
RN2902(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2903,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906(T5L,F,T)
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RN2907(T5L,F,T)
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RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX08-TQG144
Microsemi Corporation
XC2S30-5VQG100C
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M1A3P600-2FG484I
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5SGXEABK1H40I2N
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XC5VLX30-2FF676C
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XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
5AGXMB1G6F31C6N
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EP3C25F324C6N
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EP20K100EQI240-3
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