casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMB6T2R
Número de pieza del fabricante | EMB6T2R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EMB6T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMB6T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMB6T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMB6T2R-FT |
RN2902(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902,LF
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RN2903,LF
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RN2904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904,LF
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RN2905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906(T5L,F,T)
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RN2907(T5L,F,T)
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RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
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AT6002ALV-4AC
Microchip Technology
EP1K50TC144-3
Intel
LFXP3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEB5R2F43I3LN
Intel
XC7K410T-3FBG900E
Xilinx Inc.
XC7A75T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508C5N
Intel