casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMB61T2R
Número de pieza del fabricante | EMB61T2R |
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Número de parte futuro | FT-EMB61T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMB61T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMB61T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMB61T2R-FT |
RN4905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4907,LF
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RN4983,LF(CT
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RN4984,LF(CT
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RN4987,LF(CT
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RN1902T5LFT
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LCMXO2-2000HC-6MG132C
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