casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMA8T2R
Número de pieza del fabricante | EMA8T2R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EMA8T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMA8T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 300mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT5 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMA8T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMA8T2R-FT |
RN4910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4911(T5L,F,T)
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RN4984(T5L,F,T)
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RN2702TE85LF
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RN2711(TE85L,F)
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QSH29TR
Rohm Semiconductor
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
AX125-FG256
Microsemi Corporation
5CGXFC9D6F27C7N
Intel
5SGXEA7N2F40C1
Intel
5SGXEA7H1F35I2N
Intel
XC5VLX50T-1FF665C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel
EP2A40F1020C8
Intel