casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EM-10 16GB I-GRADE
Número de pieza del fabricante | EM-10 16GB I-GRADE |
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Número de parte futuro | FT-EM-10 16GB I-GRADE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EM-10 |
EM-10 16GB I-GRADE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (MLC) |
Tamaño de la memoria | 16GB |
Frecuencia de reloj | 52MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | eMMC |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 153-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 153-BGA (11.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM-10 16GB I-GRADE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EM-10 16GB I-GRADE-FT |
GD25LE32DLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CZIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q256DBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CHIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CZIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel