casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EM-10 16GB I-GRADE
Número de pieza del fabricante | EM-10 16GB I-GRADE |
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Número de parte futuro | FT-EM-10 16GB I-GRADE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EM-10 |
EM-10 16GB I-GRADE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (MLC) |
Tamaño de la memoria | 16GB |
Frecuencia de reloj | 52MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | eMMC |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 153-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 153-BGA (11.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM-10 16GB I-GRADE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EM-10 16GB I-GRADE-FT |
GD25LE32DLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CZIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q256DBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CHIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CZIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
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M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
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LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel