casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EM-10 16GB I-GRADE
Número de pieza del fabricante | EM-10 16GB I-GRADE |
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Número de parte futuro | FT-EM-10 16GB I-GRADE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EM-10 |
EM-10 16GB I-GRADE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (MLC) |
Tamaño de la memoria | 16GB |
Frecuencia de reloj | 52MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | eMMC |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 153-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 153-BGA (11.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM-10 16GB I-GRADE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EM-10 16GB I-GRADE-FT |
GD25LE32DLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CZIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q256DBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CHIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CZIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel