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Número de pieza del fabricante | ELL-VFG2R2NC |
---|---|
Número de parte futuro | FT-ELL-VFG2R2NC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G |
ELL-VFG2R2NC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±30% |
Valoración actual | 1.4A |
Corriente - Saturación | 1.1A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 87 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-VFG2R2NC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ELL-VFG2R2NC-FT |
ELL-6PM220M
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Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
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XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
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