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Número de pieza del fabricante | ELL-ATV101M |
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Número de parte futuro | FT-ELL-ATV101M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | V |
ELL-ATV101M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 100µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 180 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-ATV101M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ELL-ATV101M-FT |
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XCS05-3VQ100C
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XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel