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Número de pieza del fabricante | ELL-6SH680M |
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Número de parte futuro | FT-ELL-6SH680M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H |
ELL-6SH680M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 68µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 500mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 520 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.130" (3.30mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6SH680M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ELL-6SH680M-FT |
ELJ-FA6R8JF
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LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGXEA4K2F35I2LN
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29I5G
Intel
EP20K60EQC240-2X
Intel
EPF8636AQC160-3
Intel
EP1SGX40GF1020I6
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