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Número de pieza del fabricante | ELL-6RH4R7M |
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Número de parte futuro | FT-ELL-6RH4R7M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H |
ELL-6RH4R7M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 4.7µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.58A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 49 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.110" (2.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6RH4R7M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ELL-6RH4R7M-FT |
ETQ-P4LR36WFC
Panasonic Electronic Components
ETQ-P4LR45XFC
Panasonic Electronic Components
ETQ-P4LR56WFC
Panasonic Electronic Components
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ETQ-A17B150
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ETQ-A17B220
Panasonic Electronic Components
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation