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Número de pieza del fabricante | ELL-6GG100M |
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Número de parte futuro | FT-ELL-6GG100M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G |
ELL-6GG100M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 10µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1A |
Corriente - Saturación | 900mA |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 170 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.063" (1.60mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6GG100M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ELL-6GG100M-FT |
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Xilinx Inc.
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EP4CGX50DF27C7
Intel
EP4CE10F17I8LN
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5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2X
Intel