casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / EL817(S)(B)(TB)-VG
Número de pieza del fabricante | EL817(S)(B)(TB)-VG |
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Número de parte futuro | FT-EL817(S)(B)(TB)-VG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL817(S)(B)(TB)-VG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 130% @ 5mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | 260% @ 5mA |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | - |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 6µs, 8µs |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor |
Voltaje - Salida (Máx.) | 80V |
Corriente - Salida / Canal | 50mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 200mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 110°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817(S)(B)(TB)-VG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EL817(S)(B)(TB)-VG-FT |
FOD817C3SD
ON Semiconductor
FOD817S
ON Semiconductor
FOD817CS
ON Semiconductor
FOD817CSD
ON Semiconductor
FOD817SD
ON Semiconductor
EL817(S)(A)(TD)
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EL817(S)(A)(TD)-G
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EL817(S)(A)(TD)-V
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LCMXO256E-3T100C
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EPF6016ATI100-2
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