casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / EL817(A)-G
Número de pieza del fabricante | EL817(A)-G |
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Número de parte futuro | FT-EL817(A)-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL817(A)-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 80% @ 5mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | 160% @ 5mA |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | - |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 6µs, 8µs |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor |
Voltaje - Salida (Máx.) | 80V |
Corriente - Salida / Canal | 50mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 200mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 110°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817(A)-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EL817(A)-G-FT |
TCET1107
Vishay Semiconductor Opto Division
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XC7A100T-2FGG676I
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4K3F40C4N
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XC6VHX255T-2FFG1155I
Xilinx Inc.
M1A3P250-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX066N2F40E2LG
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10AX057K1F35I1SG
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