casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / EL816(S)(TB)-V
Número de pieza del fabricante | EL816(S)(TB)-V |
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Número de parte futuro | FT-EL816(S)(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL816(S)(TB)-V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 50% @ 5mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | 600% @ 5mA |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | - |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 4µs, 3µs |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor |
Voltaje - Salida (Máx.) | 80V |
Corriente - Salida / Canal | 50mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 200mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 110°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL816(S)(TB)-V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EL816(S)(TB)-V-FT |
CNY172FR2M
ON Semiconductor
CNY172FR2VM
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CNY172FVM
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CNY172S
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CNY173
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CNY173300
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CNY1733S
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CNY1733SD
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CNY173FM
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XC4010E-3PQ208I
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672C5N
Intel
5SGXMB5R2F43I3LN
Intel
A42MX16-3PQG100
Microsemi Corporation
LFXP10E-4FN256C
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LFE3-70EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9U19C8N
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5CGXFC3B6U19I7N
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10AX115U4F45E3SG
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EP2SGX60CF780C5
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