casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / EL816M(Y)(D)-VG
Número de pieza del fabricante | EL816M(Y)(D)-VG |
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Número de parte futuro | FT-EL816M(Y)(D)-VG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL816M(Y)(D)-VG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 300% @ 5mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | 600% @ 5mA |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | - |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 4µs, 3µs |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor |
Voltaje - Salida (Máx.) | 80V |
Corriente - Salida / Canal | 50mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 200mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 110°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL816M(Y)(D)-VG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EL816M(Y)(D)-VG-FT |
EL357ND-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NF(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NF(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NF(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
XC7K325T-1FBG676C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
10M08DAF256I7G
Intel
10M40DCF256A7G
Intel
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
XC6VLX365T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121
Microsemi Corporation
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VQC240-3AA
Intel