casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / EL816M(Y)(D)-VG
Número de pieza del fabricante | EL816M(Y)(D)-VG |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EL816M(Y)(D)-VG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL816M(Y)(D)-VG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 300% @ 5mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | 600% @ 5mA |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | - |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 4µs, 3µs |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor |
Voltaje - Salida (Máx.) | 80V |
Corriente - Salida / Canal | 50mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 200mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 110°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL816M(Y)(D)-VG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EL816M(Y)(D)-VG-FT |
EL357ND-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NF(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NF(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NF(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
10M04SCE144C7G
Intel
XC7K160T-2FB676I
Xilinx Inc.
LFXP6C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F324C8
Intel
5SGSMD4H2F35I3LN
Intel