casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / EL357ND-G
Número de pieza del fabricante | EL357ND-G |
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Número de parte futuro | FT-EL357ND-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL357ND-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 3750Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 300% @ 5mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | 600% @ 5mA |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | - |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 3µs, 4µs |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor |
Voltaje - Salida (Máx.) | 80V |
Corriente - Salida / Canal | 50mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 50mA |
Saturación Vce (Max) | 200mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 110°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-SOP (2.54mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL357ND-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EL357ND-G-FT |
EL1017(TB)-V
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Everlight Electronics Co Ltd
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Microsemi Corporation
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AT40K05-2CQC
Microchip Technology
AT6003-4AC
Microchip Technology
XC5VSX95T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31I5N
Intel
EP2AGX95EF35C4N
Intel
10AX048E2F29E1HG
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