casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / EL357N(C)(TA)-VG
Número de pieza del fabricante | EL357N(C)(TA)-VG |
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Número de parte futuro | FT-EL357N(C)(TA)-VG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL357N(C)(TA)-VG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 3750Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 200% @ 5mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | 400% @ 5mA |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | - |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 3µs, 4µs |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor |
Voltaje - Salida (Máx.) | 80V |
Corriente - Salida / Canal | 50mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 50mA |
Saturación Vce (Max) | 200mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 110°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-SOP (2.54mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL357N(C)(TA)-VG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EL357N(C)(TA)-VG-FT |
EL817(S1)(D)(TD)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TD)-G
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EL817(S1)(D)(TD)-V
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EL817(S1)(D)(TD)-VG
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EL817(S1)(D)(TU)
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EL817(S1)(D)(TU)-G
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EL817(S1)(TD)
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EL817(S1)(TD)-G
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EPF10K10TC144-3N
Intel
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E2H29C1N
Intel
XC5VLX220-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FBG484I
Xilinx Inc.
EPF6016AQI208-2
Intel
EP4SGX360HF35C4N
Intel