casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / EFC6602R-A-TR
Número de pieza del fabricante | EFC6602R-A-TR |
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Número de parte futuro | FT-EFC6602R-A-TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EFC6602R-A-TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Característica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 2W |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-XFBGA, FCBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | EFCP2718-6CE-020 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EFC6602R-A-TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EFC6602R-A-TR-FT |
NVMFD5483NLWFT3G
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NVMFD5C446NWFT1G
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NVMFD5C672NLWFT1G
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A42MX24-PQG208
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A3PE1500-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
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EP3C55F484C6
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EP4CE30F23A7N
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5SGXMA9N1F45C2LN
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XC5VSX240T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35I5N
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EP20K60EQC208-2XN
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