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ON Semiconductor EFC6601R-A-TR

Número de pieza de MFG
EFC6601R-A-TR
Cantidad disponible
62800 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET 2N-CH EFCP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-EFC6601R-A-TR
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
EFC6601R-A-TR Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) -
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
Potencia - max 2W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 6-XFBGA, FCBGA
Paquete del dispositivo del proveedor EFCP2718-6CE-020
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EFC6601R-A-TR Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto EFC6601R-A-TR-FT

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