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ON Semiconductor EFC6601R-A-TR
- Número de pieza de MFG
- EFC6601R-A-TR
- Cantidad disponible
- 62800 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
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- fabricante
- ON Semiconductor
- Breve descripción
- - MOSFET 2N-CH EFCP
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- EFC6601R-A-TR.pdf
EFC6601R-A-TR Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | EFC6601R-A-TR |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-EFC6601R-A-TR |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| EFC6601R-A-TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Característica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
| Potencia - max | 2W |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 6-XFBGA, FCBGA |
| Paquete del dispositivo del proveedor | EFCP2718-6CE-020 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EFC6601R-A-TR Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | EFC6601R-A-TR-FT |
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