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Número de pieza del fabricante | EEV-TG1E102UM |
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Número de parte futuro | FT-EEV-TG1E102UM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TG |
EEV-TG1E102UM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 1000µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 25V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | 80 mOhm @ 100kHz |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 125°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Aplicaciones | Automotive |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 715mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 1.1A @ 100kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | - |
Tamaño / Dimensión | 0.630" Dia (16.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.650" (16.50mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | 0.669" L x 0.669" W (17.00mm x 17.00mm) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Radial, Can - SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEV-TG1E102UM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEV-TG1E102UM-FT |
ECE-T2DA332EA
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LCMXO2-640HC-5TG100I
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XC6SLX150T-N3FG900C
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XC7A50T-2FG484I
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M1A3PE3000L-FG484M
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A3P400-2PQG208I
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EP4CE40F23C7
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XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
AGL125V2-CS196
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A42MX09-TQG176M
Microsemi Corporation