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Número de pieza del fabricante | EEV-HB1V100R |
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Número de parte futuro | FT-EEV-HB1V100R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB |
EEV-HB1V100R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Capacidad | 10µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 35V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Aplicaciones | Automotive |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 28mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | - |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | - |
Tamaño / Dimensión | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.228" (5.80mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | 0.209" L x 0.209" W (5.30mm x 5.30mm) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Radial, Can - SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEV-HB1V100R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEV-HB1V100R-FT |
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XC6SLX9-N3FT256C
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XC3S700AN-4FG484I
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP2SGX90EF1152C4ES
Intel
XC2V3000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K600CB652C7
Intel